我觉得，用28n光刻机，实现7n制程，完全得不偿失，与其在这上面花工夫，还不如趁早研制出14n甚至7n光刻机。
反正，研制光刻机又不难，可能7n制程还没实现，7n光刻机先出来了。”
江晟：“……”
在经历65n和28n光刻机研发后，臧教授也是越来越自信了，竟然说“研制光刻机又不难”。
不过话说回来，任何一个人站在对方角度，只需一年就能研制出新一代光刻机，都会自信心爆棚。
江晟无言以对，只得点点头，鼓励道：
“好吧，那我等你的14n或5n光刻机先出来。”
“没问题。”
臧教授一脸的当仁不让，想了想又接着说道：
“14n和28n有极大差别，28n以上属于dUV深紫外光刻，而14n属于EUV极紫外光。
在这一点上，我们的积累很少，包括供应商，也面临很多困难。
所以我想，既然大家都没有什么积累，那干脆换个路线，不知是否可行？”
“你想换什么路线？”
“要换，肯定换成比EUV更有潜力，在制程、效率和成本等方面更有优势的路线。”
随即，臧教授认真为江晟讲解起来。
目前，在理论上潜力超越EUV的技术路线，主要有五条。
第一条，是EUV极紫外光刻的下一代——高数值孔径EUV，而这正是阿斯麦探索的方向，直接被pASS。
第二条，是EbL电子束光刻，优势是无需复杂的光学系统，分辨率可达0.1n以下，天然适配3n及更先进制程，如果能解决吞吐量问题，或许能跳过EUV的物理限制，直接进入原子级精度。
这条路线，目前主要有小日子的富士通和东瀛电子等公司，在前面探索。
第三条，是NIL纳米压印光刻，通过物理压印模板复制电路图案，可以完全避开光学衍射限制。
而且，NIL设备成本仅为EUV的1\/5甚至1\/10，制程步骤简单，理论上可支持1n级精度，缺点是模板寿命较低，还有大面积压印的均匀性和缺陷率存在瓶颈。
采用这条路线的，主要是铠侠、镁光等做存储芯片的公司，因为缺陷率问题，暂时还不适用于逻辑芯片，也就是cpU。
第四条，是xRL，即x射线光刻，其优势是介于EUV和电子束之间，兼具高分辨率和较高吞吐量，但掩膜材料容易被辐射损坏，而且x射线难以通过透镜折射。
第五条，是ALL原子层光刻，其原理是通过化学吸附或物理沉积，在晶圆表面逐个原子\/分子构建电路图案，精度可达单个原子尺度，即0.1n以下。
这是光刻技术的终极形态，可以完全摆脱光学或电子束的物理限制，在理论上没有最小制程瓶颈，且材料利用率接近100%。
但相应的，原子层光刻也是研发难度最大的。
目前，即使在实验室中，也只能实现单原子线等简单结构，想要实现复杂芯片的大规模组装，可能还有数十年距离。
听完介绍，江晟沉吟片刻，对臧教授道：
“你想选哪条路线？”